Я, Вержак Євгенія Василівна, народилася 21 квітня 1968 року в місті Чернівці, Чернівецької області. Українка, громадянка України.
З вересня 1975 року до липня 1985 року навчалась у Чернівецькій середній школі №39, де одержала атестат про середню освіту.
В серпні 1985 року вступила до Чернівецького ордена Трудового Червоного Прапора державного університету за спеціальністю хімія. Закінчила названий університет в 1990 році, одержавши диплом з присвоєнням кваліфікації хіміка, викладача. З жовтня 2008 по червень 2014 років навчалася в аспірантурі, після захисту одержала диплом кандидата хімічних наук. Тема дисертаційної роботи «Вплив термообробки на спектр дефектів кристалів CdTе, легованого донорними домішками».
З серпня 1990 року зарахована на посаду лаборанта на хімічному факультеті вище вказаного університету. В липні 1998 року переведена на посаду завідуючої лабораторією, на якій працюю до цього часу.
За сумісництвом працювала асистентом в університеті протягом 2000-2021 років. З 2020 року викладач в КОПНЗ «Буковинська Мала академія наук учнівської молоді» секція «Хімія», керувала науковими роботами учнів в цій академії (сумісництво). Приймала участь у проведені навчання учнів, переможців олімпіад з хімії Чернівецької області, в літніх та зимових таборах, а також підготовці та проведенню різних етапів олімпіад з хімії. В 2017 та 2024 роках приймала участь в підготовці ІV етапу Всеукраїнської учнівської олімпіади з хімії.
Двічі, в 2020 та 2021роках викладала на курсах за програмою підвищення кваліфікації педагогічних працівників за спеціальністю 014.06 «Середня освіта (хімія)» на базі Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича.
У зв’язку з окупацією частини Херсонської області та переходом на дистанційну форму навчання, 2022-2023 навчального року працювала вчителем хімії в Херсонській гімназії №20 (сумісництво).
В 2023 та 2024 роках проводила тренінги для внутрішньо переміщених осіб як представник ГО “Фонд “Буковина інноваційна”.
В 2022 та 2023 роках була членом журі ІІІ етапу Всеукраїнської учнівської олімпіади з хімії, а в 2024 році була членом журі ІV фінального етапу Всеукраїнської учнівської олімпіади з хімії.
1. Compensation mechanism of bromine dopants in cadmium telluride single crystals
Gorichok, I.V., Fochuk, P.M., Verzhak, Y.V., ... Bolotnikov, A.E., James, R.B.
Journal of Crystal Growth, 2015, 415, pp. 146–151
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.11.005
2. High-temperature treatment of In-doped CZT crystals grown by the high-pressure Bridgman method
Fochuk, P., Nakonechnyi, I., Kopach, O., ... Yang, G., James, R.B.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2012, 8507, 85071L
DOI: 10.1117/12.929035
3. Fochuk, P., Grill, R., Nakonechnyi, I., ... Yang, G., James, R.B.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2011, 58(5 PART 2), pp. 2346–2351, 6032053
DOI: 10.1109/TNS.2011.2164580
4. Dopant content and thermal treatment of Cd1-xZn xTe{In}; Effects on point-defect structures
Fochuk, P., Nykonyuk, Y., Verzhak, Y., ... Bolotnikov, A., James, R.B.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2009, 56(4), pp. 1784–1790, 5204756
DOI: 10.1109/TNS.2009.2021185
5. Dynamics of point defects in Tellurium-rich CdTe
Grill, R., Franc, J., Belas, E., ... Verzhak, Y., Panchuk, O.
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2007, 54(4), pp. 792–797
DOI: 10.1109/TNS.2007.901232
6. Self-compensation processes in CdTe(In) crystals
Fochuk, P., Verzhak, Ye., Panchuk, O.
Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2007, 244(5), pp. 1655–1661
DOI: 10.1002/pssb.200675108
7. Predominant point defects in tellurium saturated CdTe
Fochuk, P., Panchuk, O., Korovyanko, O., ... Yuriychuk, I., Fatuyev, A.
Physica Status Solidi C: Conferences, 2006, 3(4), pp. 821–824
DOI: 10.1002/pssc.200564676
1. Вержак Є.В. Вплив охолодження на властивості кристалів CdTe<Іn> / Вержак Є.В., Фочук П.М., Панчук О.Е. // Наук. вісник Чернівецького університету: Збірник наукових праць. – 2006. – Вип.307.: Хімія. – С.103-107.
2. Опис процесів дефектоутворення у бездомішкових кристалах кадмій телуриду методом термодинамічних потенціалів / В.В. Прокопів, П.М. Фочук, І.В. Горічок, Є.В. Вержак. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – Т.8, №2 – С. 380-387.
3. Вержак Є.В. Вплив умов охолодження на електропровідність нелегованого CdTe / Вержак Є.В., Фочук П.М., Панчук О.Е. // Наук. вісник Чернівецького університету: Збірник наукових праць. – 2011. – Вип.581.: Хімія. – С. 92-97.
4. Електричні властивості кристлаів Cd1-XZnXTe:In, вирощених методом Бріджмена високого тиску / Наконечний І., Вержак Є., Петращак С.,
Малованюк В., Комар В., Терзін І., Кутній В., Рибка А., Ілащук М.,
Парфенюк О., Фочук П., Панчук О. // Наук. вісник Чернівецького університету: Збірник наукових праць. – 2012. – Вип. 606.: Хімія. – С. 65–72.
5. Вержак Є. Властивості кристалів CdTe:Br / Вержак Є., Петращак С., Фочук П., Панчук О. // Наук. вісник Чернівецького університету: Збірник наукових праць. – 2012. – Вип. 640. Хімія. – 2013. – С. 98-103.
1. Predominant point defects in tellurium saturated CdTe / O. Panchuk, P. Fochuk, O. Korovyanko, L. Shcherbak, Ye. Verzhak, A. Fatuyev. // 12th International Conference on II-VI Compounds. (September 12-16, 2005, Warsaw, Poland) Conference Program. – 2005. – P.166.
2. Fochuk P. Influence of annealing on CdTe<In> point defect structure / Fochuk P., Verzhak Ye., Panchuk O. // International conference E-MRS - IUMRS - ICEM (May 29 – June 2, 2006, Nice, France). – Scientific Programme. – 2006. – P. S-13.
3. Fochuk P. Modelling of point defects in donor doped CdTe / P. Fochuk, Ye. Verzhak, O. Panchuk. // 1-th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials – EURODIM (July 10-14, Milano, Italy, 2006) Conference program and book of abstracts. – 2006. – Р. 283.
4. Fochuk P. Self-compensation processes in CdTe<In> crystals / P. Fochuk, Ye. Verzhak, and O. Panchuk. // E-MRS 2006 Fall Meeting (Warsaw, September 4-8, 2006). -2006. – Р. 9.
5. Compensation processes in CdTe crystals / Fochuk P., Franc J., Nykonyuk Ye., Verzhak Ye., Belas E., Grill R., Panchuk O. // The 2005 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials (10-12 October, 2006, Newport Beach, USA) Final Program. – 2006. – Р.21.
6. Dynamics of Point Defects in Tellurium-Enriched CdTe / R. Grill, P. Fochuk, J. Franc, E. Belas, P. Höschl, Ye. Verzhak, O. Panchuk, B. Nahlovskyy, and P. Moravec // The 15th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X- and Gamma-ray Detectors (RTSD) (29 October-4 November). San Diego. Conference Program. – 2006. – Р. 158.
7. Point defect modelling in CdTe crystals / P. Fochuk, Ye. Verzhak, O. Panchuk // Gordon Research Conference “Defects in Semiconductors” (3-8 August, Colby-Sawyer College, New London, NH, USA) –2008.
8. Fochuk P. Influence of cooling rate on the Cd1-XZnXTe<In> point defect structure / P. Fochuk, Ye. Verzhak, O. Panchuk. // 16th Room Temperature Semiconductor Detector Workshop (19-25 October, Dresden, Germany) – 2008. – Р. 564.
9. Electrical properties of In-doped CdZnTe crystals measured at a high-temperature point defect equilibrium / P. Fochuk, O. Panchuk, Ye. Verzhak, A. Bolotnikov, R. James. // 16th Room Temperature Semiconductor Detector Workshop. (19 - 25 October, Dresden, Germany) – 2008. – Р. 587.
10. Multi-Component Diffusion in CdTe / R. Grill, P. Fochuk, E. Belas, J. Franc, P. Höschl, Y. Obedzynska, Ye. Verzhak, A. E. Bolotnikov , B. Nahlovskyy, P. Moravec, O. Panchuk, and R. B. James. // 16th Room Temperature Semiconductor Detector Workshop. (19 - 25 October, Dresden, Germany) – 2008. – Р. 572.
11. Electrical behavior of Cd1-xZnxTe detectors at high temperature / Fochuk P., Verzhak Ye., Nakonechnyj I., Grill R., Panchuk O., Bolotnikov A., James R. // IWORID. (Book of Abstracts. – 2009 – Р II-131.
12. Electrical properties of CdTe:Br single crystals at high temperature / Fochuk P., Verzhak Ye., Grill R., Panchuk O. // E-MRS 2009 Fall Meeting (September 2009, Warsaw, Poland) – 2009. – Р. 12.
13. Annealing of CdTe:In crystals under different stoichiometry deviation / P. Fochuk, Ye. Nykoniuk, O. Kopach, I. Nakonechnyi, Ye. Verzhak // E-MRS 2010 Fall Meeting (September 2010, Warsaw, Poland) – 2010. (on-line program)
14. The phenomenon of sharp increasing of CdTe conductivity during the annealing at 770 K / P. Fochuk, R. Grill, I. Nakonechnyi, Ye. Verzhak, O. Panchuk // E-MRS 2010 Fall Meeting (Warsaw, September 13-17, 2010) Fall 2010 Symposium O: Smart growth of II-VI compounds with emphasis on CdTe, related Cd-rich mixed syst & ZnO. Book of Abstracts. – 2010. – P. 6.
15. High-Temperature treatment of Cd0.9Zn0.1Te crystals under Cd saturation / P. Fochuk, O. Kopach, I. Nakonechnyi, Ye. Verzhak, O. Panchuk, R. B. James, // Room Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-ray Detectors Workshop. (November, 2010, Knoxville, USA) Conference program. – 2010. – P. 110.
16. Electrical Properties of Cd(Zn)Te Single Crystals Grown by the HPB Method / P. M. Fochuk, I. Nakonechnyi, R. Grill, O. Kopach, Y. Verzhak, O. Panchuk, I. Terzin, V. Komar, A. Rybka, V. Kutnij, A. Bolotnikov, R. James // IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (Valencia, Spain 23-29 October 2011) Conference Program. – 2011. – P. 144.
17. High-temperature treatment of CZT crystals / P. Fochuk, I. Nakonechnyi,
O. Kopach, Y. Verzhak, O. Panchuk, A. Rybka, V. Komar, A. Bolotnikov,
G. Camarda, A. Hossain, K. H. Kim, G. Yang, R. B. James // SPIE Optics+Photonics (San Diego, USA, 12-16 August 2012) Technical Program. – 2012. – P. 209.
1. Поведінка кристалів CdTe<Cl> при високих температурах / Фочук П.М., Панчук О.Е., Вержак Є.В., Феш Р.М. // II Міжнародна конференція з фізики напівпровідників: тези доповідей, Чернівці, 20-24 вересня, 2004. – С. 304.
2. Behavior of heavily indium-doped CdTe single crystals / P.M. Fochuk, Ye.V. Verzhak, Ye.S. Nykonyuk, O.E. Panchuk. // IX international conference on crystal chemistry of intermetallic compounds (September 20-24, Lviv, Ukraine, 2005) Collected abstracts. – 2005. – P.111.
3. Fochuk P. Point defects in CdTe, doped by Indium / Fochuk P., Verzhak Ye., Panchuk O. // XII-ий Міжнародний семінар з фізики та хімії твердого тіла (28–31 травня 2006, Львів) Тези доповідей. – 2006. – C. 28.
4. Electrical properties of CdTe<V> crystals at high temperature / P. Fochuk, Yu. Obedzyns’ka, I. Yurijchuk, Ye. Verzhak, O. Panchuk // X International Conference on Crystal Chemistry of Intermetallic Compounds (17-20 September, Lviv, Ukraine). Collected abstracts. – 2007. – Р. 65.
5. Cd1-xZnxTe Single Сrystals as Promising Materials for Optoelectronics / Nakonechnyi I.J., Verzhak Ye.V., Malovaniuk V.V., Kopach O.V., Fochuk P.M., Panchuk O.E. // Proceedings of Sixth International Workshop “Relaxed, nonlinear and acoustic optical processes; materials – growth and optical properties” (RNAOPM’2012), Lutsk-Shatsk Lakes, 2012. – Lutsk. – 2012. – P. 137.
1. Вержак Є. Термообробка кристалів CdTe<In> / Вержак Є., Фочук П. // Десята наукова конференція „Львівські хімічні читання - 2005”. Збірник наукових праць. – Львів, 25-27 травня, 2005. – С. Н32.
2. Прокопів В.В. Опис процесів дефектоутворення у бездомішкових крис-талах кадмій телуриду методом термодинамічних потенціалів / В.В. Прокопів, П.М. Фочук, І.В. Горічок, Є.В. Вержак // I Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок (7-12.05, Ів.-Франківськ ) – 2007. – P. 22.